IGBT: 1200 В, 200 А, Модуль, полумост
Технические характеристики:
Внутренняя схема: GB
Кол-во ключей в модуле: 2
Напряжение К-Э: 1.2 кВ
Рабочий ток при 25 C: 150А
Технология кристалла: NPT IGBT (Uitrafast)
Корпус: SEMITRANS3
Поставка электронных компонентов
Поставка электронных компонентов
9:00 - 18:00 (Пн-Пт)
+7 (499) 113-07-60
Корзина пуста.
5680,00 ₽
IGBT: 1200 В, 200 А, Модуль, полумост
Технические характеристики:
Внутренняя схема: GB
Кол-во ключей в модуле: 2
Напряжение К-Э: 1.2 кВ
Рабочий ток при 25 C: 150А
Технология кристалла: NPT IGBT (Uitrafast)
Корпус: SEMITRANS3
9:00 - 18:00 (Пн-Пт)
+7 (499) 113-07-60