SI3590DV-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 2.5 А

76,23 ₽

Артикул: 516ff7febfb9 Категория:

      Описание

      SI3590DV-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 2.5 А The SI3590DV-T1-GE3 is a 30V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Ultra low RDS(on) for high Efficiency and optimized for high side and low side operation. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.

      • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
      • Low conduction losses

      Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

      Детали
      Бренд

      VISHAY
      Максимальная Рабочая Температура

      150 C
      Количество Выводов

      6вывод(-ов)
      Стандарт Корпуса Транзистора

      TSOP
      Рассеиваемая Мощность

      830мВт
      Полярность Транзистора

      N и P Канал
      Напряжение Истока-стока Vds

      30В
      Непрерывный Ток Стока

      2.5А
      Наименование

      SI3590DV-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 2.5 А, 30 В, 0.062 Ом, 4.5 В, 1.5 В