FP15R12W1T4_B3, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал

3633,30 ₽

Артикул: 5b282958d4c0 Категория:

      Описание

      FP15R12W1T4_B3, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал The FP15R12W1T4_B3 is an EasyPIM™ 1B 3-phase rectifier IGBT Module with Trench/field-stop IGBT4 and emitter controlled 4 diode and NTC (without brake chopper). It is suitable for auxiliary inverters and air conditioning.

      • Low switching losses
      • V(CEsat) with positive temperature coefficient
      • Al2O? substrate with low thermal resistance
      • Compact design
      • Solder contact technology
      • Rugged mounting due to integrated mounting clamps
      • Compact module concept
      • Configuration flexibility

      Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Массивы и Модули

      Детали
      Бренд

      Infineon Technologies
      Максимальная Рабочая Температура

      150 C
      Количество Выводов

      20вывод(-ов)
      Напряжение Коллектор-Эмиттер

      1.2кВ
      Стандарт Корпуса Транзистора

      Module
      Рассеиваемая Мощность

      130Вт
      Полярность Транзистора

      N Канал
      DC Ток Коллектора

      15А
      Наименование

      FP15R12W1T4_B3, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 15 А, 1.85 В, 130 Вт, 1.2 кВ, Module