GD200HFY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор

9038,71 ₽

Артикул: 0b35ca980bcc Категория:

      Описание

      GD200HFY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175 C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.

      Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Массивы и Модули

      Детали
      Максимальная Рабочая Температура

      150 C
      Количество Выводов

      11вывод(-ов)
      Напряжение Коллектор-Эмиттер

      1.2кВ
      Стандарт Корпуса Транзистора

      Module
      Рассеиваемая Мощность

      1.006кВт
      Полярность Транзистора

      Двойной N Канал
      DC Ток Коллектора

      309А
      Наименование

      GD200HFY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 309 А, 2 В, 1.006 кВт, 1.2 кВ, Module