GD600HFY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор

17889,30 ₽

Артикул: 043b84898019 Категория:

      Описание

      GD600HFY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175 C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.

      Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Массивы и Модули

      Детали
      Максимальная Рабочая Температура

      150 C
      Количество Выводов

      11вывод(-ов)
      Напряжение Коллектор-Эмиттер

      1.2кВ
      Стандарт Корпуса Транзистора

      Module
      Рассеиваемая Мощность

      3.409кВт
      Полярность Транзистора

      Двойной N Канал
      DC Ток Коллектора

      1кА
      Наименование

      GD600HFY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 1 кА, 2 В, 3.409 кВт, 1.2 кВ, Module