‘Силовой IGBT модуль, 62 мм, полумост, технология IGBT4.
Технические характеристики:
Напряжение К-Э: 1200 В
Номинальный ток при 25 C: 450 А
Напряжение насыщения К-Э при 25 C: 1,75 В
Технология: IGBT4
Конфигурация: полумост
Корпус: 62 мм’
Поставка электронных компонентов
Поставка электронных компонентов
9:00 - 18:00 (Пн-Пт)
+7 (499) 113-07-60
Корзина пуста.
8800,00 ₽
‘Силовой IGBT модуль, 62 мм, полумост, технология IGBT4.
Технические характеристики:
Напряжение К-Э: 1200 В
Номинальный ток при 25 C: 450 А
Напряжение насыщения К-Э при 25 C: 1,75 В
Технология: IGBT4
Конфигурация: полумост
Корпус: 62 мм’
9:00 - 18:00 (Пн-Пт)
+7 (499) 113-07-60